Samsung comienza a fabricar memorias eUFS con 1TB de capacidad
- Miércoles, 30 de Enero de 2019
- news
- 0
Las nuevas memorias, que permitirá dar vida a terminales con hasta un TB de capacidad en un futuro cercano, también desarrollan velocidades cercanas a unidades SSD.
Estos nuevos chips eUFS en versión 2.1 tienen una superficie de tan solo 150mm2 y están formadas por 16 capas de memoria V-NAND de 512 Gigabits. Se ha desarrollado también una nueva controladora capaz de desarrollar nuevas velocidades de hasta 1000MBps de velocidad de lectura sostenida y hasta 260MBps de velocidad de escritura.
La potencia de proceso también se asemeja a lo que disfrutamos con unidades SSD SATA ya que desarrolla hasta 58 kIOPs de potencia de proceso en lectora y hasta 50 kIOPs en operaciones de escritura.
Estas nuevas memorias permitirán que en los próximos meses podamos ver en el mercado teléfonos y otros dispositivos móviles con capacidades de hasta 1TB sin necesidad de depender de memorias externas y con un rendimiento sustancialmente más rápido que el de cualquier memoria MicroSD.
Fuente: geeknetic.es